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| 修士EELS班 | ||
| 文責 表面物理学研究室修士１年 瀧川 知昭 | ||
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私たちは現在Si（111）表面の初期酸化過程について研究しています。 SiO2は半導体デバイスのゲート絶縁膜として使用されています。そのため、Si酸化膜の研究は多く行われ、原子層数層から数十層程度の酸化膜の形成モデルはいろいろと議論されてきました。しかし、近年、半導体技術の発展により、ゲート絶縁膜の膜厚は数nmまで薄くなっており、さらなる微視的なSiの酸化プロセスについての解明が必要となっています。
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